г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

WTB43N3171 Sick

Артикул
WTB43N3171
Дополнительный Артикул
WTB43N3171
Бренд
Sick
Описание
Фотоэлектрический датчик
Теги
фотоэлектрический

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NT6-43302S20
Бренд: Sick
Описание: Сканер (1009816)NT 6-43302S20 REG SCANNERCONTRAST SENSOR, 2 X 4.5 MM LIGHT SPOT, GREEN, PNP/NPN, 40MM SENSING DISTANCE, CABLE
Подробнее
Артикул: CLV430-6010S02
Бренд: Sick
Описание: Сканер CLV430-6010S02(1027173)
Подробнее
Артикул: IMP12-1B5NPVC0B
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик (6050118)IMP12-1B5NPVC0B56MM HOUSING LENGTH1.5MM RANGENPNNO+NCM12
Подробнее
Артикул: PBT-RP5K0AN1SS0VMC0Z
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления (6053813)PBT-RP5K0AN1SS0VMC0ZPRESSURE TRANSMITTER PBTGAUGE PRESSURE (RELATIVE)0.5000 PSINON-LINEARITY +/-0.25% OF SPAN (BFSL)1/4 NPTSTANDA
Подробнее
Артикул: 6041642
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления PFT-FRBX25AF1OSSALSSZPFT FLEXIBLE PRESSURE TRANSMITTER,GAUGE PRESSURE (RELATIVE), 0…0.25 BAR,ACCURACY +-0.25% OF SPAN,G1B FLUSH-MOUNTED WITH O-RING,
Подробнее
Артикул: GTB10-R3821
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик Features_x000D_ Sick;Sensor/detection principle: Photoelectric proximity sensor, Background suppression. Dimensions (W x H x D): 20 mm x 50 mm x 51.5 mm. Housing design (light emission): Rectangular. Sensing range max.: 20 mm ... 1,200 mm 1). Type of light: Infrared light. Light source: LED 2). Light spot size (distance): O 22 mm (700 mm). Wave length: 850 nm. Adjustment: Potentiometer, 5 turns_x000D_ Sick;1) Object with 90 % reflectance (referred to standard white, DIN 5033)_x000D_ Sick;2) Average service life: 100,000 h at TU =
Подробнее