г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

WT27-F410 Sick

Артикул
WT27-F410
Дополнительный Артикул
WT27F410
Бренд
Sick
Описание
Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC 10-30V
Вес
0,09 кг
Теги
Фотоэлектрика

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HL18G-P1G3AL
Бренд: Sick
Описание: Датчик (1071038)HL18G-P1G3AL, RETRO-REFLECTIVE, RED (PINPOINT)POLARIZED, SENSING RANGE = 0.1.3M, 10.30 VDC, CLEAR MATERIAL WITH CTA, Q1 = PNPLIGHT OPERAT
Подробнее
Артикул: 1072851
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик IMB30-15BNOVC0K15MM RANGESHIELDEDNPNNORMALLY CLOSEDM12 4-PIN CONNECTORSHORT HOUSING LENGTH
Подробнее
Артикул: WL100P4230
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC SENSOR 0.01-6M RANGE 680NM 10-30VDC
Подробнее
Артикул: WL12G-P530
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик 1016289 - CLEAR MATERIAL RETRO-REFLECTIVE PEPOLARIZEDREDPNP (Q AND QNOT)2 PL80A)5-PIN M12
Подробнее
Артикул: 6020274
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик IM30-10BPS-ZW1 INDUCTIVE / 10MM FLUSHPNPNOCABLE
Подробнее
Артикул: M40E-60A523RB0
Бренд: Sick
Описание: Оптический датчик Features_x000D_ Sick;Resolution: 14 mm. Protective field height: 300 mm. Scanning range: 0 m ... 8 m Response timeWith beam coding: ? 12 ms Without beam coding: ? 10 ms . Synchronization: Optical synchronisation_x000D_ Sick;Safety-related parameters_x000D_ Sick;Type: Type 4 (IEC 61496). Safety integrity level: SIL3 (IEC 61508)_x000D_ Sick;SILCL3 (EN 62061)_x000D_ Sick;. Category: Category 4 (EN ISO 13849). Performance level: PL e (EN ISO 13849). PFHD (mean probability of a dangerous failure per hour): 2.8 x 10-8 (EN ISO 13849). TM (mission time): 20 year
Подробнее