г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

WT250-N470 Sick

Артикул
WT250-N470
Дополнительный Артикул
WT250N470
Бренд
Sick
Описание
Фотоэлектрический датчик (6012646)WT250-N470PROXIMITY PE, BGS, 1000MM RANGE, NPN, RED, 4-PIN M12, BRACKET INCLUDED
Вес
1,36 кг
Теги
фотоэлектрический

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: LP103311
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик REFLEX PHOTOELECTRIC SWITCH
Подробнее
Артикул: WSWE12L2P430A
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик THROUGH-BEAM PHOTOELECTRICPNPRED LASER80 M R
Подробнее
Артикул: WTE160T-F232
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PROXIMITY PHOTOELECTRICPNPL/DRED0 . . . 700 MM RANGECABLEVERTICAL HOUSING
Подробнее
Артикул: PBSH-RP050ST1S0BMA0Z
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления (6059243)PBSH-RP050ST1S0BMA0ZPBSH ELECTRONIC PRESSURE SWITCHPRESSURE TRANSMITTER AND DISPLAY FOR HYGIENIC APPLICATIONSGAUGEPSI0.50 PSIACCU
Подробнее
Артикул: IME18-12NNSZW2S
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик (1040992)IME18-12NNSZW2SADVANCED (2X) SNNON-FLUSHNPNNO2M CABLE
Подробнее
Артикул: LFV200-XATGBTPV
Бренд: Sick
Описание: Серия LFV200 Features_x000D_ Sick;Medium: Fluids. Measurement: Switch. Probe length: 38 mm. Process pressure: –1 bar ... 64 bar. Process temperature: –40 °C ... +150 °C. Fill material density: ? 0.7 g/cm?. WHG approval: ?. Authorizations: WHG approval_x000D_ Sick;Performance_x000D_ Sick;Accuracy of sensor element: ± 2 mm. Repeatability: ? 1 mm. Viscosity: 0.1 mPas ... 10,000 mPas. Resolution: ? 1 mm. Response time: 500 ms_x000D_ Sick;Electronics_x000D_ Sick;Supply voltage: 10 V DC ... 55 V DC. Residual ripple: ? 5 Vpp. Power consumption: < 10 mA. Initialization time:
Подробнее

Ваша заявка принята