WSWE45N660 Sick

Артикул

WSWE45N660

Дополнительный Артикул

WSWE45N660

Бренд

Sick

Описание

Фотоэлектрический датчик THROUGH-BEAM PHOTONPNIR300 M RANGE7-PIN ROUND PLUG

Вес

4,53 кг

Теги

фотоэлектрический

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VTE18-3F2112

Бренд: Sick

Описание: Фотоэлектрический датчик VTE18-3F2112(6013384)

Подробнее

Артикул: 6038904

Бренд: Sick

Описание: Датчик давления PBS-RB100SGESSCD5A0ZPBS ELECTRONIC PRESSURE SWITCH WITH DISPLAY,GAUGE PRESSURE (RELATIVE), 0…100 BAR,ACCURACY +-1% OF SPAN,G1/2B ACC. TO EN837,STAND

Подробнее

Артикул: DGS60E1Z0S01

Бренд: Sick

Описание: Оптический датчик

Подробнее

Артикул: WL103122PE

Бренд: Sick

Описание: Фотоэлектрический датчик PROX SWITCH

Подробнее

Артикул: 1025596

Бренд: Sick

Описание: Датчик ELG6-2340P521 LIGHTGRID / HEIGHT 2340MM/BEAM SPACING 60MM1XPNPRANGE 12M

Подробнее

Артикул: LBV310-XXAGDNKMX

Бренд: Sick

Описание: Датчик давления Features_x000D_ Sick;Medium: Bulk solids. Measurement: Switch. Probe length: 220 mm. Process pressure: –1 bar ... 25 bar. Process temperature: –50 °C ... +150 °C. Fill material density: ? 0.008. Particle size: < 10 mm_x000D_ Sick;Performance_x000D_ Sick;Accuracy of sensor element: ± 10 mm. Repeatability: ? 5 mm. Response time: 500 ms when covered / 1,000 ms when uncovered_x000D_ Sick;Electronics_x000D_ Sick;Power consumption: 1 mA / 2,5 mA. Initialization time: < 3 s. VDE protection class 1: ?. Electrical connection: M20 x 1.5. Supply voltage: NAMUR sign

Подробнее

WSWE45N660 Sick

Узнайте актуальную цену данного товара

Похожие товары

Ваша заявка принята