г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

VTE18-4P4840 Sick

Артикул
VTE18-4P4840
Дополнительный Артикул
VTE184P4840
Бренд
Sick
Описание
Фотоэлектрический датчик (6013353)VTE18-4P4840 PROX 400 MMPLASTICRA PNP M12 PLG L/D
Вес
1,36 кг
Теги
фотоэлектрический

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DFS60B-S4AM10000
Бренд: Sick
Описание: Оптический датчик DFS60B-S4AM10000(1038006)
Подробнее
Артикул: 1017861
Бренд: Sick
Описание: Датчик WS/WE24-2B230 / THROUGH-BEAM PEPNP/NPNREDTERMINAL CHAMBER
Подробнее
Артикул: MHT15-P3249
Бренд: Sick
Описание: Датчик расстояния (1026119)MHT15-P3249 PE PROXPLASTIC, PROXIMITY, RIGHT-ANGLE, 250MM SENSING DISTANCE, PNP DO, M12, IP69K
Подробнее
Артикул: 1046465
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик AT20D-PM331 / PHOTOELECTRIC - ARRAYDIAMETER PROXIMITY STYLE100MM SENSING ANGE30MM SPOT SIZEPNP4-20MA ANALOG OUTPUT5-PIN M12 CONNECTOR
Подробнее
Артикул: WL9-N132
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик SENSOR POLARIZED RETROREFLECTIVE 0-4M RANGE 2M CBL
Подробнее
Артикул: LFP0700-A5NMC
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления Features_x000D_ Sick;Medium: Fluids. Measurement: Switch, Continuous. Design: Standard. Probe type: Mono rod probe. Probe length: 700 mm. Process pressure: –1 bar ... 10 bar. Process temperature: –20 °C ... +100 °C. GOST approval: ?. RoHS certificate: ?. IO-Link: ?. CULus certificate: ?_x000D_ Sick;Performance_x000D_ Sick;Accuracy of sensor element: ± 5 mm 1). Repeatability: ? 2 mm. Resolution: < 2 mm. Response time: < 400 ms. Dielectricity constant: ? 5 for mono rod probe / rope probe_x000D_ Sick;? 1.8 with coaxial tube_x000D_ Sick;. Conductivity: No li
Подробнее