VT-2000T11385902G Sick

Артикул

VT-2000T11385902G

Дополнительный Артикул

VT2000T11385902G

Бренд

Sick

Описание

Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC

Вес

0,38 кг

Теги

Фотоэлектрика

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1062253

Бренд: Sick

Описание: Датчик LFP1000-A5NMCTDR LEVEL SENSOR LFP, PROBE 1000 MM, G 3/4 PROCESS CONNECTION, 4X PNP/NPN, 0.10V OR 0.20MA, M12, 8-PIN

Подробнее

Артикул: IM18-12NPS-ZC1

Бренд: Sick

Описание: Индуктивный датчик (7900097)IM18-12NPS-ZC1 INDUC PROX12MM NON-FLUSHPNPNOM12

Подробнее

Артикул: IME1204NPSCZ0S

Бренд: Sick

Описание: Индуктивный датчик PROX SENSOR

Подробнее

Артикул: 3095B410

Бренд: Sick

Описание: Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC SLOT SENSORPNP/NPNIR30MM SLOT WIDTH95MM DP4-PIN M8 CONNECTORMANUAL ADJUST

Подробнее

Артикул: 1012887

Бренд: Sick

Описание: Фотоэлектрический датчик PROXIMITY PHOTOELECTRICPNPIR50...700 MM ABSCABLE REPLACED BY 1025887

Подробнее

Артикул: LBV321-XXTGCTKMX01000

Бренд: Sick

Описание: Датчик давления Features_x000D_ Sick;Medium: Bulk solids. Measurement: Switch. Probe length: 1,000 mm. Process pressure: –1 bar ... 6 bar. Process temperature: –20 °C ... +80 °C. Fill material density: ? 0.02 g/cm?. Tensile strength: ? 3,000 N_x000D_ Sick;Performance_x000D_ Sick;Accuracy of sensor element: ± 10 mm. Repeatability: ? 5 mm. Response time: 500 ms when covered / 1,000 ms when uncovered_x000D_ Sick;Electronics_x000D_ Sick;Residual ripple: ? 5 Vpp. Power consumption: < 10 mA. Initialization time: < 2 s. VDE protection class 2: ?. Electrical connection: M20 x 1

Подробнее

VT-2000T11385902G Sick

Узнайте актуальную цену данного товара

Похожие товары

Ваша заявка принята