г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

VS/VE18-3F3340 Sick

Артикул
VS/VE18-3F3340
Дополнительный Артикул
VSVE183F3340
Бренд
Sick
Описание
Фотоэлектрический датчик VS/VE18-3F3340(6013710)
Вес
0,10 кг
Теги
Фотоэлектрика

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: LFV200-XATNBCPV
Бренд: Sick
Описание: Серия LFV200 (6036380)LFV200-XATNBCPVLFV200 COMPACT VIBRATING LEVEL SWITCH WITH TUBEXA WITH WHG OVERFLOW PROTECTIONTEMPERATURE ENHANCED (150C)THREAD NPT3/4
Подробнее
Артикул: UE12-2FG3D0
Бренд: Sick
Описание: Ультразвуковые Датчик Safety-related parameters_x000D_ Sick;Safety integrity level: SIL3 (IEC 61508) 1)_x000D_ Sick;SILCL3 (EN 62061) 1)_x000D_ Sick;. Category: Category 4 (EN ISO 13849) 1). Performance level: PL e (EN ISO 13849) 1). B10d parameter: 1 x 105 switching cycles (AC-15, 230 V, I = 2 A)_x000D_ Sick;2.5 x 105 switching cycles (AC-15, 230 V, I = 1 A)_x000D_ Sick;5.4 x 105 switching cycles (DC-13, 24 V, I = 0.5 A)_x000D_ Sick;1 x 107 switching cycles (DC-13, 24 V, I ? 2 A)_x000D_ Sick;. PFHD (mean probability of a dangerous failure per hour): 1.2 x 10-9 (EN ISO 13849). TM (mission time): 20
Подробнее
Артикул: WL122N420
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик REFLEX PHOTOELECTRICFOCUSEDPOLARIZEDREDNPN0 . . . 500M RANGE (TAPE)4-PIN M12 CONNECTOR
Подробнее
Артикул: 1010989
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик THROUGH-BEAM PHOTOPNPIR300 M RANGE7-PIN ROUND PLUG
Подробнее
Артикул: GRSE18S-F2331
Бренд: Sick
Описание: Датчик (1059549)GRSE18S-F2331THROUGH-BEAM PEPNPDOPINPOINT3-PIN M12STRAIGHTMETAL
Подробнее
Артикул: WR12L2B550A01
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC
Подробнее