г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

UE1140-22I0000 Sick

Артикул
UE1140-22I0000
Дополнительный Артикул
UE114022I0000
Бренд
Sick
Описание
Ультразвуковые Датчик GATEWAY THAT CONNECTS TWO(2) SICK ENHANCED FUNCTION INTERFACE(EI) DEVICES (E.G. S3000C4000 STD/ADV) TO A PROFIBUS NETWORK. POVIDES CAPABILITY FOR CO
Вес
1,36 кг

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: WE3018
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик RECEIVER
Подробнее
Артикул: 6035225
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик IMF18-08NPPVC0S / 1 X SN (SINGLE SENSING DISTANCE)NON-FLUSHIP69KPNPNC+NO
Подробнее
Артикул: WT24-2V250
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик (1017887)WT24-2V250PROXIMITY PEBGSPNP/NPNREDTERMINAL CHAMBERSTATIC HEATINGTIMINGALARM
Подробнее
Артикул: IME08-02BPSZT0K
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик Features_x000D_ Sick;Housing: Cylindrical thread design_x000D_ Sick;short-body. Thread size: M8 x 1. Diameter: O 8 mm. Sensing range Sn: 2 mm. Safe sensing range Sa: 1.62 mm. Installation type: Flush. Switching frequency: 4,000 Hz. Connection type: Connector M8, 3-pin. Output type: PNP. Output function: NO. Electrical wiring: DC 3-wire. Enclosure rating: IP 67 1)_x000D_ Sick;1) According to EN 60529._x000D_ Sick;Mechanics/electronics_x000D_ Sick;Supply voltage: 10 V DC ... 30 V DC. Ripple: ? 10 %. Voltage drop: ? 2 V 1). Current consumption: ? 10 mA 2).
Подробнее
Артикул: PBS-RP100SN1SS0AMA0Z
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления (6041222)PBS-RP100SN1SS0AMA0ZPBS ELECTRONIC PRESSURE SWITCH WITH DISPLAYGAUGE PRESSURE (RELATIVE)0…100 PSIACCURACY +-1% OF SPAN1/4 NPTSTANDARD
Подробнее
Артикул: WT183P480
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик
Подробнее