г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

MLG3-2820F812 Sick

Артикул
MLG3-2820F812
Дополнительный Артикул
MLG32820F812
Бренд
Sick
Описание
Датчик (1022174)MLG 3-2820F812 LIGHTGRIDHEIGHT 2820MM/BEAM SPACING 20MM, 6X PNP OUTPUTS, 2 INPUTS, RANG5M, PROGRAMMABLE
Вес
5,44 кг
Теги
Разное(датчики и переключатели)

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VT12T-2P410
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик (6026212)VT12T-2P410 PE PROX4-PIN M12PNPTEACH-IN
Подробнее
Артикул: WE6-P132
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC THRU-BEAM 7M RANGE
Подробнее
Артикул: 1018291
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик REFLEX PHOTOELECTRICPOLARIZEDREDPNP35MM FOCUS0...0.4 M RANGE PL 80 ATEACH-IN4-PIN M12
Подробнее
Артикул: 1023872
Бренд: Sick
Описание: Датчик MLG 1-0590I822 LIGHTGRID / HEIGHT 590MM/BEAM SPACING 10MM1XPNPRS4851X INPUTRANGE 8MPROGRAMMABLE
Подробнее
Артикул: DOL-MS23-G30MMA2
Бренд: Sick
Описание: Оптический датчик (7102114)DOL-MS23-G30MMA2CABLE ASSEMBLYMS 3116 23-PINSTRAIGHT WITH SCREENING30 M LENGTH
Подробнее
Артикул: LFV200-XASNBTPM
Бренд: Sick
Описание: Серия LFV200 Features_x000D_ Sick;Medium: Fluids. Measurement: Switch. Probe length: 38 mm. Process pressure: –1 bar ... 64 bar. Process temperature: –40 °C ... +100 °C. Fill material density: ? 0.7 g/cm?. WHG approval: ?. Authorizations: WHG approval_x000D_ Sick;Performance_x000D_ Sick;Accuracy of sensor element: ± 2 mm. Repeatability: ? 1 mm. Viscosity: 0.1 mPas ... 10,000 mPas. Resolution: ? 1 mm. Response time: 500 ms_x000D_ Sick;Electronics_x000D_ Sick;Supply voltage: 10 V DC ... 55 V DC. Residual ripple: ? 5 Vpp. Power consumption: < 10 mA. Initialization time:
Подробнее