г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

LFP1900-A4NMB Sick

Артикул
LFP1900-A4NMB
Дополнительный Артикул
LFP1900A4NMB
Бренд
Sick
Описание
Датчик (1057090)LFP1900-A4NMBTDR LEVEL SENSOR LFP CUBICPROBE 1900 MMG 3/4 PROCESS CONNECTION2X PNP/NPN0.10V OR 0.20MAM125-PIN
Вес
1,36 кг

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 15N2347
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC
Подробнее
Артикул: WTE160T-P331
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PROXIMITY PHOTOELECTRICPNPL/DRED0 . . . 700 MM RANGEM8 3-PINHORIZONTAL HOUSING
Подробнее
Артикул: 6037782
Бренд: Sick
Описание: Серия UM30 CPA CONNECT+ LINK CONTROL / CONNECTION MODULE FOR UM30
Подробнее
Артикул: 1060390
Бренд: Sick
Описание: Оптический датчик DL100-23AA2109DISTANCE MEASURING DEVICE, REFLEX, 150MM - 200M, CAN OPEN
Подробнее
Артикул: PBT-CB1X0SGESE0ALA0Z
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления (6041734)PBT-CB1X0SGESE0ALA0ZPRESSURE TRANSMITTER PBTCOMPOUND PRESSURE (+-)-1…0 BARNON-LINEARITY +-0.5% OF SPAN (BFSL)G 1/2 B ACC. TO EN 837ST
Подробнее
Артикул: WL27-3S1531
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик Features_x000D_ Sick;Sensor/detection principle: Photoelectric retro-reflective sensor, Dual lens. Dimensions (W x H x D): 24.6 mm x 80.6 mm x 54 mm. Housing design (light emission): Rectangular. Sensing range max.: 0.1 m ... 15 m 1). Sensing range: 0.1 m ... 11 m 1). Type of light: Visible red light. Light source: LED 2). Light spot size (distance): O 220 mm (10 m). Angle of dispersion: Approx. 1.5°. Wave length: 660 nm. Adjustment: Potentiometer_x000D_ Sick;1) PL80A._x000D_ Sick;2) Average service life: 100,000 h at TU = +25 °C.
Подробнее