г. Санкт-Петербург,
пер. Ульяны Громовой, д. 4
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 385-56-15 Звонок по России бесплатный info@fgrus.ru

1057100 Sick

Артикул
1057100
Дополнительный Артикул
1057100
Бренд
Sick
Описание
Датчик LFP1000-B4NMB / TDR LEVEL SENSOR LFPPROBE 1000 MM3/4" NPT PROCESS CONNECTION2X PNP/NPN0.10V OR 0.20MAM125-PIN

Узнайте актуальную цену данного товара

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: WT2F-P480
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик (6030575)WT2F-P480 PE PROX ENRGETCPROXIMITY PEENERGETIC100MM RANGEPNPLO200MM M8 4-PIN PIGTAIL
Подробнее
Артикул: C40E-1001BN310
Бренд: Sick
Описание: Датчик 1050 MM HEIGHT14 MM BEAM RESOLUTIONRECEIVER1-5M RANGEECO
Подробнее
Артикул: IME08-03BPSZC0S
Бренд: Sick
Описание: Индуктивный датчик (1074029)IME08-03BPSZC0SM8 THREADED BODY6MM RANGENON-FLUSHNPNNORMALLY CLOSED3-PIN M8 CONNECTORSHORT HOUSING LENGTH
Подробнее
Артикул: IMP14-03BNOVC0S
Бренд: Sick
Описание: Датчик давления Features_x000D_ Sick;Housing: Cylindrical thread design. Thread size: M14 x 1.5. Diameter: O 14 mm. Pressure resistance: ? 500 bar. Sensing range Sn: 3 mm. Safe sensing range Sa: 2.4 mm. Installation type: Flush. Switching frequency: 500 Hz. Connection type: M12, 4-pin male connector. Output type: NPN. Output function: NC. Electrical wiring: DC 3-wire. Enclosure rating: IP 68 1). Special features: High pressure resistant_x000D_ Sick;1) Sensing face._x000D_ Sick;Mechanics/electronics_x000D_ Sick;Supply voltage: 10 V DC ... 30 V DC. Ripple: ? 2
Подробнее
Артикул: WTB4SC-3P3462V
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик (1046395)WTB4SC-3P3462VPROXIMITY PEBGSIO-LINKPNPL/D OPERATERED LED150MM M12 4-PIN PIGTAIL
Подробнее
Артикул: WT27-F410
Бренд: Sick
Описание: Фотоэлектрический датчик PHOTOELECTRIC 10-30V
Подробнее