Стоимость транзистора КТ

Существует два типа транзисторов: биполярные транзисторы и полевые. Биполярный транзистор имеет три вывода, которые соединены с тремя легированными полупроводниковыми областями. Процесс добавления электронов к слою известен как легирование. Есть два слоя, n-типа, к которому добавлены дополнительные электроны. Этот слой отрицательный из-за избыточного количества электронов. У p-типа электроны удалены из него, поэтому образуются дырки. Этот слой положительный.

Подобно процессу осмоса, электроны перетекают из области с высокой степенью легирования (n-область) в область с низкой степенью легирования (p-область). Для этого требуется очень небольшое напряжение. Напряжение, необходимое для перемещения электронов из p-области в n-область, требует большого усилия, следовательно, создавая очень малопригодные для использования токи. Биполярный транзистор обеспечивает способность электронов легко перетекать от базы p-типа к коллектору n-типа до тех пор, пока переход база-эмиттер находится в прямом смещении, то есть напряжение базы выше напряжения эмиттера. 

Транзистор кт7 состоит из одного N-легированного полупроводникового слоя, который является основой, и двух слоев P-легированного полупроводникового материала, которые действуют как коллектор и эмиттер. Базовый ток, поступающий в коллектор, усиливается на выходе. Транзистор PNP включается, когда база находится низко по отношению к эмиттеру. Стрелки обозначают направление протекания тока, когда устройство находится в прямом активном режиме.

Кт 316 транзисторы состоят из двух полупроводниковых слоев, легированных N, которые действуют как эмиттер и коллектор, и одного слоя, легированного P, который действует как база. Усиливая ток в базе, генерируется высокий ток в коллекторе и эмиттере. Он работает только тогда, когда электроны перемещаются от низкого электронного перехода к высокоэлектронному переходу. Как и PNP, транзистор NPN считается включенным, когда его база находится низко по отношению к излучателю.

Когда он находится во включенном состоянии, ток протекает между коллектором и эмиттером. Миноритарный носитель в области P-типа позволяет электронам перемещаться от эмиттера к коллектору. Это позволяет течь большему току и приводит к более быстрой работе.

Транзистор работает как электронный клапан. Когда в нем нет тока, можно предположить, что кремнию p-типа не хватает электронов, а две области кремния n-типа имеют дополнительные электроны. Следовательно, дефицит электронов у p-типа действует как барьер. Это предотвращает протекание тока от эмиттера, когда транзистор находится в выключенном состоянии.

В P-N-P база управляет потоком тока, но ток течет от эмиттера к коллектору. Вместо электронов эмиттер испускает пустоты, что означает отсутствие электронов, которые собираются коллектором. Это дает низкий выходной ток по сравнению с транзистором NPN и намного медленнее в работе. Следовательно, это наиболее часто используемый биполярный транзистор сегодня.

Терминалы BJT

Он состоит из двух P-N-диодов, соединенных спиной к спине, и имеет три терминальных устройства, которые: 

• имеет основание, которое действует как терминал управления;

• коллектор;

• излучатель является отрицательным свинцом.

В отличие от биполярных транзисторов, полезный ток в них протекает не через по-разному легированные полупроводниковые материалы, а через канал, который полностью состоит либо из n-легированного материала, состоящего из отрицательно заряженных электронов, либо из p-легированного материала, состоящего из дырок.

Полевые транзисторы контролируют положительные и отрицательные носители относительно пустот или электронов. Канал полевых транзисторов изготовлен из кремния и образован перемещением положительных и отрицательных носителей заряда. Ток для критической нагрузки протекает через канализацию и источник. Эта функция управляется напряжением, подаваемым на замки.

Полевой транзистор состоит из двух категорий: полевого транзистора на перекрестке (JFET), который имеет неизолирующий затвор, и полевого транзистора с изолированным затвором (IGFET), который имеет изолирующий затвор. В IGFET управляющий затворной электрод отделен от канала изолирующим слоем металлооксидного полупроводника (MOS-FET), в то время как в JFET переход от затвора к проводящему каналу представляет собой заблокированный диодный переход (PN-FET) или контакт Шоттки (Metal semiconductor transition, MESFET).

В N-канальном полевом транзисторе устройство изготовлено из материала N-типа. Между источником и стоком материал N-типа действует как резистор. Электрическое поле течет перпендикулярно направлению тока. Это может изменить сечение проводящего канала и тем самым контролировать ток. Это делается с помощью затворного электрода, функция которого заключается в том, чтобы соответствовать основанию BJT. Электроды на концах каналов, по которым проходит полезный ток, называются источником и стоком.

Режим работы транзисторов

Режимы работы помогают описать ток, протекающий через них от коллектора к излучателю. Четыре режима работы транзистора:

• Насыщение — ток течет от коллектора к эмиттеру без какого-либо сопротивления.

• Отключение – в этом режиме работы ток не течет от коллектора к эмиттеру.

• Активный – В активном режиме работы ток, протекающий от коллектора к эмиттеру, пропорционален току, поступающему в базу.

• Reverse-Active — эта операция аналогична активному режиму работы, но ток протекает в обратном направлении. То есть он перетекает от излучателя к коллектору. Ток течет от эмиттера к коллектору.

Режимы работы можно определить, посмотрев на напряжения на каждом из трех контактов. Напряжение на базе и эмиттере и что через основание и коллектор определяет режим работы. Транзистор может использоваться в схеме в трех основных конфигурациях. Они имеют разные характеристики с точки зрения усиления, входного и выходного импеданса. Поэтому, в зависимости от требований, для проектирования электронной схемы будет использоваться наиболее подходящая конфигурация.

Транзисторы кт 814 815 имеют разные настройки, в которых входы и выходы подаются в другую точку, с одним выводом, который является общим как для входа, так и для выхода. Общая клемма также известна как клемма с заземлением, потому что сигнал общего элемента обычно заземлен.

Кт 805 транзистор купить проще у дистрибьютора, а значит у нас. Компания, имеющая репутацию надежного поставщика качественных комплектующих, деталей и расходных материалов от ведущих производителей. Вы можете заказать у нас в любом количестве интересующийся товар, зная, что он прибудет вовремя.