SMD K1N транзистор
Есть вопросы ? Напишите нам.
SMD K1N транзистор — это малогабаритное полупроводниковое устройство, предназначенное для усиления и контроля электрических сигналов в электронных схемах. Этот транзистор отличается высокой надежностью, компактным размером и хорошими рабочими параметрами, что делает его популярным выбором во многих электронных устройствах.
Основные технические характеристики SMD K1N транзистора:
1. Тип корпуса: SOT-23.
2. Тип транзистора: NPN (негативный-положительный-негативный).
3. Максимальное обратное напряжение: 40 В.
4. Максимальный коллекторный ток: 600 мА.
5. Максимальная мощность потери: 300 мВт.
6. Коэффициент усиления по току (hfe): 100-250.
7. Максимальная рабочая температура: -55°C до +150°C.
8. Скорость переключения: 2,5 нс.
SMD K1N транзистор имеет три вывода: базу (B), эмиттер (E) и коллектор ©, что позволяет эффективно управлять потоком электронов и усиливать сигналы. Он может использоваться во многих приложениях, включая аудиоусилители, источники питания и преобразователи сигналов.