Особенности транзисторов вида NPN
Есть вопросы ? Напишите нам.
Транзисторные устройства представляют собой электронные полупроводниковые элементы, когда ток в цепи 2-х электродов контролируется 3-м электродным компонентом. Впервые полевые транзисторные устройства были изобретены в 20-х гг. двадцатого века, а биполярные – в середине двадцатого века американскими инженерами, за что они через несколько лет получили Нобелевскую премию. Таким образом, произошла так называемая революция в электротехнике.
Транзисторные устройства необходимы для регулирования токов в электроцепи и используются почти во всем аудио- и видеооборудовании. Название –транзистор- происходит от английских составляющих слов –transfer-, которое переводится –переносить- и –resistor-, то есть –сопротивление-. Полупроводниковые транзисторные устройства сменили со временем морально устаревшие ламповые приборы, устанавливающиеся в старое телевизионное оборудование. Принцип действия транзисторов аналогичен резисторам и характеризуется преобразованием мощности, высокого напряжения и токов. Со временем материал изготовления устаревших транзисторов – германий сменился на кремний. Это обусловлено тем, что компоненты из кремния меньше по стоимости, чем из германия, а также кремниевые детали более устойчивы к температурным скачкам.
На быстроту переключения транзисторных устройств в значительной степени влияют энергоносители зарядов (дыры несут заряд более медленно, а электроны – быстро). Также быстрота переключения изменяется под воздействием температурного режима, эммитирующего множителя и прочих показателей. Также много значит в изменении скорости переключения толщина базовой части: большая толщина базы дает замедленные переходы.
Транзисторные устройства NPN SMD
Главные достоинства транзисторных элементов – это возможность использовать малые токи и напряжение с целью управления большими показателями данных параметров. Благодаря этому становится возможным управление электромоторами, реле, динамиками и прочими приборами при помощи микроконтроллеров.
Транзисторное устройство типа NPN SMD представляет собой устройство, где главным энергоносителем зарядов служат электроны, а ток перемещается от коллекторной части к эмиттерному элементу. SMD NPN транзистор включает несколько слоев, которые как правило производятся из кремниевых сплавов, иногда из сплавов германия. Во внешних слоях в излишке имеются минусовые зарядные элементы (N), а средний заряд включает плюсовые зарядные частицы (Р). То есть все слои в транзисторных устройствах соединены последовательностью NPN. Как и все биполярные транзисторные элементы, устройство данного вида включает три составляющих: коллекторную часть с одной стороны, эмиттерный компонент – с другой и базу, которая располагается между коллекторной и эмиттерной частями.
NPN-транзисторные устройства отличаются от РNР следующими особенностями:
- Главными энергоносителями зарядов в NPN-транзисторных устройствах являются электроны.
- NPN-транзисторные устройства раскрываются напряжением плюсовой биполярности.
- Токовое направление проходит от коллекторной части к эмиттерной.
- Токи базовой части более нуля.
- Т.к. электронные частицы, как энергоносители заряда, имеют большую мобильность, чем дыры, соответственно NPN-транзисторные устройства характеризуются более высокой переключаемостью.
- NPN-транзисторные устройства имеют более высокую частоту, чем PNР-транзисторы.
Типом SMD транзисторных элементов является SOT23 NPN транзистор который имеет незначительное различие в корпусной части прибора и стал инновацией в разработке полупроводниковых устройств. Данный тип транзисторных устройств включает ряд моделей, которые пользуются массовой популярностью, в том числе:
- Транзистор NPN 400В
- Цифровой транзистор NPN SOT23
- Транзистор 2Т3130А9 NPN
Эти модели переключательных кремниевых планарных структурных элементов NPN. Данные транзисторные элементы применяются в переключающих приборах, а также усилительных схемах низких и высоких частот. Биполярные транзисторные устройства предназначены для функционирования в узловых соединениях и блоках электроаппаратуры универсального применения. Эти транзисторы производятся в корпусе из пластмассы с выводами высокой жесткости, на который наносится цифровая и буквенная кодовая маркировка. Транзисторы NPN характеризуются преобразуемой мощностью, высоким напряжением и током. Структурные составляющие данных транзисторных устройств дают возможность рассеивания этой мощности без каких-то искажений и видоизменений. Такая структура существенно различается со стандартной структурой малосигнальных транзисторов, потому что она пропускает высокие коллекторные токи и претерпевает высокое напряжение на коллекторных механизмах.
Применение NPN транзисторов
Транзисторные приборы NPN переключаются более быстро, чем приборы PNP, поэтому они чаще используются для сборки различных устройств. NPN транзисторы могут быть различного размерного ряда: от миниатюрных, которые применяются в схемах, до больших, используемых в производстве.
Применение в силовых преобразовательных элементах. Высоковольтные транзисторные устройства с обособленными затворными элементами используются в приборах, которые рассчитаны на запитывание токами высокого напряжения. К такому оборудованию относятся полумостовые и мостовые резонансные преобразовательные устройства, сварочное оборудование высокой мощности, и индукционных нагревательные приборы.
Применение в сборных транзисторных устройствах. Такие транзисторы состоят из 2-х либо нескольких биполярных транзисторных элементов, которые располагаются в общей корпусе на одном кристалле. Высоковольтное электронное оборудование использует комбинированные транзисторные устройства, которые состоят из биполярных и униполярных видов транзисторов. Но низкое быстродействие обеспечивает эффективность применение комбинированных транзисторов лишь на аппаратах низкой частоты.
Купить транзисторы и комплектующие к ним можно на сайте интернет-магазина FGR. Тут же Вы можете получить профессиональную консультацию специалистов и заказать бесплатную доставку по территории России.